Samsung представила модули оперативной памяти DDR4, созданные с помощью техпроцесса 30 нм.
Модули способны передавать данные со скоростью до 3200 миллионов транзакций в секунду, при напряжении 1,2 В. Для сравнения: скорость модулей DDR3, изготовленных по техпроцессу 30 нм и рассчитанных на напряжение 1,35 или 1,5 В, составляет до 1600 миллионов передач. Новые модули потребляют на 40 % меньше электроэнергии, чем модули DDR3, рассчитанные на напряжение 1,5 В.
В модулях используется технология Pseudo Open Drain, позволившая уменьшить потребляемый ток вдвое по сравнению с DDR3.
С использованием новой архитектуры DDR4 может работать со скоростью от 12,8 до 25,6 Гбайт/с. Сейчас же скорость DDR3 составляет до 12,8 Гбайт/с, а DDR2 — до 6,4 Гбайт/с.
Внимание! У Вас нет прав для просмотра скрытого текста.
Внимание! Данная статья была написана более полугода назад, актуальность материала и состояние жизни ссылок не гарантируется! Воспользуйтесь дополнительными параметрами для поиска необходимого вам контента! Приносим свои извинения...